產(chǎn)品詳情

IP3102 電子元器件 INJOINIC/英集芯 封裝DFN6

超低功耗、帶充放電控制功能的單節(jié)鋰電池保護(hù)芯片

簡(jiǎn)介

IP3102 提供一種用于單節(jié)鋰離子/聚合物可充 電電池的初級(jí)保護(hù)的解決方案。IP3102 集成了聚合 物可充電電池安全運(yùn)行所需的所有檢測(cè)和保護(hù)。 IP3102 集成了所有保護(hù)檢測(cè)和控制功能，正常工作 僅需要 1uA 左右的工作電流。保護(hù)功能包括放電過(guò) 流、充電過(guò)流、過(guò)充、過(guò)放電池的檢測(cè)和保護(hù)。其 工作在-40℃～+85℃的溫度范圍內(nèi)，大大拓寬了芯 片的使用條件。采用小而薄的 DFN6 1.6mm x 1.6mm 封裝，這種封裝便于小型電池包裝設(shè)計(jì)。

特性
電壓監(jiān)測(cè)：
過(guò)充電保護(hù)電壓 VOV:3.5V~4.6V(Step：5mV)
過(guò)充電保護(hù)電壓 VOV精度：±15mV
過(guò)充電解除電壓 VOVR:3.1V~4.6Vnote1
過(guò)充電解除電壓 VOVR精度：±50mV
過(guò)放電保護(hù)電壓 VUV:2V~3V(Step：10mV)
過(guò)放電保護(hù)電壓 VUV 精度：±50mV
過(guò)放電解除電壓 VUVR:2V~3.4Vnote2
過(guò)放電解除電壓 VUVR 精度：±75mV
電流監(jiān)測(cè) VI(用外部 Sense 電阻)/VM(用
MOS 管導(dǎo)通電阻)可選：
放電過(guò)流 1 保護(hù)電壓 VDOC1:3mV~100mV(Step：0.5mV)
放電過(guò)流 1 保護(hù)電壓 VDOC1精度：±1.5mV
放電過(guò)流 2 保護(hù)電壓 VDOC2:10mV~200mV(Step：1mV)
放電過(guò)流 2 保護(hù)電壓 VDOC2精度：±3mV
放電短路保護(hù)電壓 VSC:20mV~400mV(Step：2mV)
放電短路保護(hù)電壓 VSC精度：±5mV
充電過(guò)流保護(hù)電壓 VCOC:-200mV~-3mV(Step：0.5mV)
充電過(guò)流保護(hù)電壓 VCOC精度：±1.5mV
內(nèi)置各種檢測(cè)延時(shí)：
過(guò)充電檢測(cè)延時(shí) tOV:256mS ~ 2S
過(guò)放電檢測(cè)延時(shí) tUV:32mS ~ 256mS
放電過(guò)流 1 檢測(cè)延時(shí) tDOC1:8mS ~ 4S
放電過(guò)流 2 檢測(cè)延時(shí) tDOC2:8mS ~ 64mS
放電短路檢測(cè)延時(shí) tSC:280uS ~ 560uS
充電過(guò)流檢測(cè)延時(shí) tCOC:8mS ~ 64mS
1.2μA 工作電流（pump disable）@25°C
2.5uA 工作電流（pump enable）@25°C
休眠模式可選，休眠模式下 100nA 休眠電流
耗盡電池 0V 禁止充電
可承受高達(dá) 28V 的浪涌電壓
放電過(guò)流解除條件：斷開(kāi)負(fù)載或連接充電器
正常工作狀態(tài)下，PUMP N-MOSFET 驅(qū)動(dòng)可選
工作溫度：-40°C～85°C
VI 采樣和 VM 電流采樣可選
封裝：DFN6(1616)

應(yīng)用
物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備
可穿戴設(shè)備
電池包
移動(dòng)設(shè)備