產(chǎn)品詳情

MM3723-系列-美上美原裝芯片

MM3723系列集成為1.09mm × 0.81mm × 0.46mm WLCSP封裝。采用高壓CMOS工藝對(duì)可充電鋰離子和鋰聚合物電池進(jìn)行過(guò)充、過(guò)放和過(guò)流保護(hù)�？蓹z測(cè)可充電單節(jié)鋰離子電池和鋰聚合物電池的過(guò)充、過(guò)放、放電過(guò)流、充電過(guò)流和短路保護(hù)。

特性

(1)檢測(cè)/釋放電壓范圍及精度過(guò)充檢測(cè)電壓............................Vdet1……3.6V至4.6V, 5mV步長(zhǎng).................精度±12mV精度±20m(Ta=-20 ~ +60°C)過(guò)放檢測(cè)電壓.......................Vdet2……2.0V至3.0V, 50mV步長(zhǎng)...............放電過(guò)流檢測(cè)電壓........Vdet3……20mV到+100mV, 1mV步長(zhǎng)...........精度±∆V *1充電過(guò)流檢測(cè)電壓............Vdet4……-100mV到-20mV, 1mV步長(zhǎng)..........檢測(cè)voltage1精度±∆V * 1短  ....................................Vshort……100mV到300mV,10mV步長(zhǎng)...........精度±8% *1過(guò)流精度

(2)檢測(cè)延時(shí)時(shí)間范圍過(guò)充檢測(cè)延時(shí)時(shí)間.......................從1.0s, 1.2s, 4.0s選擇過(guò)放檢測(cè)延時(shí)時(shí)間..................從20ms, 24ms, 32ms, 96ms, 128ms放電過(guò)流檢測(cè)延時(shí)時(shí)間…從8ms, 12ms, 16ms, 20ms, 256ms, 512ms充電過(guò)流檢測(cè)延時(shí)時(shí)間........女士女士選擇從4 ms, 6、8、10 ms, 12 ms, 16女士,96 ms檢測(cè)延遲時(shí)間短  .................................選擇從250μß400μ年代(3)0 v電池充電功能  ....................................選擇“允許”或“禁止”(4)低電流消耗(不包括NTC偏置電流)正常模式  ..................................................... Typ。2.5μ,馬克斯。4.0μ備用模式  .................................................. Max。0.1μA(過(guò)放鎖存功能使能)