普冉串行接口閃存設(shè)備——P25Q40H-TSH-IT，采用TSSOP-8封裝。

說(shuō)明

P25Q40H/20H/10H/05H是一種串行接口閃存設(shè)備，專為各種基于消費(fèi)者的大容量應(yīng)用而設(shè)計(jì)，其中程序代碼從閃存隱藏到嵌入式或外部RAM中執(zhí)行。該設(shè)備的靈活擦除架構(gòu)及其頁(yè)面擦除粒度也非常適合數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，無(wú)需額外的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備。

該設(shè)備的擦除塊大小已經(jīng)過(guò)優(yōu)化，以滿足當(dāng)今代碼和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)應(yīng)用的需求。通過(guò)優(yōu)化擦除塊的大小，可以更有效地使用存儲(chǔ)空間。由于某些代碼模塊和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)段必須單獨(dú)駐留在它們自己的擦除區(qū)域中，因此可以大大減少大扇區(qū)和大塊擦除閃存設(shè)備中浪費(fèi)和未使用的存儲(chǔ)空間。這種增加的存儲(chǔ)空間效率允許添加額外的代碼例程和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)段，同時(shí)仍然保持相同的整體設(shè)備密度。

該設(shè)備還包含一個(gè)額外的3*512字節(jié)安全寄存器，帶有OTP鎖（一次性可編程），可用于唯一設(shè)備序列化、系統(tǒng)級(jí)電子序列號(hào)（ESN）存儲(chǔ)、鎖定密鑰存儲(chǔ)等目的。

該設(shè)備專為許多不同的系統(tǒng)而設(shè)計(jì)，支持2.3V至3.6V的寬電源電壓范圍內(nèi)的讀取、編程和擦除操作。編程和擦除不需要單獨(dú)的電壓。

特征

● 單機(jī)2.30V至3.60V電源

● 工業(yè)溫度范圍-40℃至85℃

● SPI (Serial Peripheral Interface)支持模式0和模式3

● 單、雙IO模式

4M/2M/1M/512K × 1bit

2M/1M/512K/256K × 2位

● 靈活的代碼和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)架構(gòu)

統(tǒng)一的256字節(jié)頁(yè)面程序

統(tǒng)一的256字節(jié)頁(yè)面擦除

統(tǒng)一的4k字節(jié)扇區(qū)擦除

統(tǒng)一32K/ 64k字節(jié)塊擦除

全芯片擦除

● 硬件控制鎖定保護(hù)扇區(qū)通過(guò)WP引腳

次性可編程(OTP)安全寄存器

3*512字節(jié)的安全寄存器與OTP鎖

● 每個(gè)設(shè)備的128位wei一ID

● 快速程序和擦除速度

2ms頁(yè)面程序時(shí)間

8ms頁(yè)擦除時(shí)間

8ms的4k字節(jié)扇區(qū)擦除時(shí)間

8ms 32k字節(jié)塊擦除時(shí)間

8ms 64k字節(jié)塊擦除時(shí)間

● JEDEC標(biāo)準(zhǔn)制造商和設(shè)備ID讀取方法

● 超-低功耗

0.6uA深度掉電電流

9uA備用電流

2.5mA主動(dòng)讀取電流33MHz

3.0mA活動(dòng)程序或擦除電流

● fusionstorage高可靠性

100,000個(gè)程序/擦除周期

數(shù)據(jù)保留20年

● 行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)綠色包裝選項(xiàng)

8針SOP8 (150mil/208mil)

8地USON8 (3x2x0.55毫米)、(3x2x0.45毫米)、(3x4x0.55毫米)

8層WSON8 (6x5x0.75mm)

8針TSSOP8

WLCSP

SiP為KGD